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PI5101 µRDS(on)FET

PI5101 μRDS(on) FET? 解決方案結合了採用耐熱增強型高密度柵格陣列(LGA)封裝的高性能5 V、360μΩ橫向N溝道MOSFET,實現了工業標準SO-8封裝占位元面積世界一流的性能。PI5101為DC和開關應用提供了前所未有的品質因數。PI5101將取代多達六個相同通態電阻的傳統“SO-8外形”器件,減少電路板空間約80%。

特性與優勢

特性與優勢

High-performance

高性能5V、360μΩ橫向N通道MOSFET

Reliability

為低電壓控制開關和類比信號發送/控制提供了前所未有的品質因數

優於傳統溝槽MOSFET,實現極低損耗運行

High density

採用耐熱增強型高密度LGA封裝,尺寸為4.1毫米X採用8mm x2毫米

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Part Number 連續電流 Rdson 漏-源電壓 (VDS) 符合RoHS 加入購物車/查看詳情
PI5101-01-LGIZ Part Number: PI5101-01-LGIZ 連續電流: 60 A Rdson: 360 µ Ohms 漏-源電壓 (VDS): 5 V 符合RoHS: Yes

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