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PI5101 µRDS(on)FET

PI5101 µRDS(on) FET™  解決方案結合了採用耐熱增強型高密度柵格陣列(LGA)封裝的高效能 5V、360μΩ 橫向N溝道MOSFET,實現了工業標準 SO-8 封裝占位元面積世界一流的性能。PI5101 為 DC 和開關應用提供了前所未有的品質因數。PI5101 將取代多達六個相同通態電阻的傳統“SO-8 外形”器件,減少電路板空間約 80%。

特性與優勢

特性與優勢

High-performance

高性能 5V、360μΩ 橫向 N 通道 MOSFET

Reliability

為低電壓控制開關和類比信號發送/控制提供了前所未有的品質因數

優於傳統溝槽 MOSFET,實現極低損耗運行

High density

採用耐熱增強型高密度 LGA 封裝,尺寸為 4.1 毫米 X 採用 8 毫米 x2 毫米

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Part Number 連續電流 Rdson 漏-源電壓 (VDS) 符合RoHS 加入購物車/查看詳情
PI5101-01-LGIZ
Part Number: PI5101-01-LGIZ 連續電流:
60 A
Rdson:
360 µ Ohms
漏-源電壓 (VDS):
5 V
符合RoHS:
Yes

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Input specifications

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