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PI5101 µRDS(on)FET

PI5101 µRDS(on) FET™ 解决方案结合了采用耐热增强型高密度焊盘栅阵列(LGA)封装的高性能5 V、360μΩ横向N沟道MOSFET,实现了工业标准SO-8封装占位面积世界一流的性能。PI5101为DC和开关应用提供了前所未有的优值系数。PI5101将取代多达六个相同通态电阻的传统“SO-8外形”器件,减少电路板空间约80%。

特点与优势

特点与优势

High-performance

高性能5V、360μΩ横向N沟道MOSFET

Reliability

为低电压控制开关和模拟信号路由/控制提供了前所未有的优值系数

优于传统沟槽MOSFET,实现极低损耗运行

High density

采用耐热增强型高密度LGA封装,尺寸为 4.1mm x 8mm x 2mm 

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Part Number 连续电流 Rdson 漏-源
电压 (VDS)
符合RoHS 加入购物车/查看详情
PI5101-01-LGIZ Part Number: PI5101-01-LGIZ 连续电流: 60 A Rdson: 360 µ Ohms 漏-源
电压 (VDS)
:
5 V
符合RoHS: Yes

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