布拉格曲线（Bragg curve）

描述带电粒子能量损失的非线性曲线，其峰值出现在粒子停止时。能量损失与材料类型、粒子种类及其能量有关。高能粒子的线性能量传递（LET）低于相同种类低能粒子的 LET。

日冕物质抛射（Coronal mass ejections）

由于太阳磁场变化而抛射出的富含质子的等离子体，速度在 250~3000 km/s 之间，到达地球需要数小时至数天。

粒子注量（Fluence）

单位面积上接收到的粒子数量，单位为 n/cm²，即粒子通量随时间积分的结果（通量 × 时间）。

粒子通量（Flux）

单位面积上每秒通过的粒子数量，单位为 n/cm²·s。

伽马射线（Gamma rays）

高能光子，属于电磁波，能够电离物质，通常由放射性衰变产生（如 60Co 源常用于总电离剂量[TID]测试）。

地球同步轨道（Geostationary equatorial orbit, GEO）

地球同步轨道是一种特定的地球轨道，距离地球 22,236 英里（35,786 km），卫星速度（11,052 km/h）与地球自转同步，完成一次轨道旋转需 24 小时。地球同步轨道卫星保持在地球上空固定位置。与低地球轨道（LEO）卫星和中地球轨道（MEO）卫星相比，许多地球同步轨道卫星暴露于较高辐射水平，需设计以承受更恶劣的环境，它寿命较长，适用于气象监测和全球通信等应用。

高椭圆轨道（Highly elliptical orbit, HEO）

与更接近圆形的低地球轨道（LEO）或中地球轨道（MEO）不同，高椭圆轨道具有更高的偏心率，因此在星座通信网络等传统卫星应用中较为少见。高倾角的 HEO 卫星在高纬度地区上空有较长的驻留时间，因此比 GEO 轨道更适合高纬度地区的通信。

电离辐射（Ionizing radiation）

指具有足够能量的亚原子粒子（质子、电子、中子、离子）或电磁波（X 射线或伽马射线）通过剥离原子中的电子而产生电离作用。

线性能量传递（Linear energy transfer, LET）

指电离粒子在穿过物质时每单位距离传递的能量，单位为 MeV/cm。LET 与物质密度相关，针对硅材料时，常使用衍生单位 MeV·cm²/mg 表示。

低地球轨道（Low earth orbit, LEO）

低地球轨道是指距离地球 1,200 英里（2,000km）或更近的轨道，速度为 25~28 km/h，轨道周期为 128 分钟或更短。由于轨道高度较低，LEO 卫星的“地球覆盖范围”较小，因此服务区域有限。

中地球轨道（Medium earth orbit, MEO）

中地球轨道是指围绕地球的特定轨道，位于 LEO 和 GEO 之间，距离地球 1,200 英里~22,236 英里（2,000~35,786km），速度为 28~11,052km/h，轨道周期为 2~24 小时。由于高度增加，MEO 卫星比 LEO 卫星有更大的“地球覆盖范围”，因此服务区域更广。

拉德（Rad）

辐射吸收剂量单位，等于 0.01 戈瑞（国际单位制）。

抗辐射电子元件（Radiation hardened electronics, Rad-Hard）

抗辐射电子元件指经过特殊设计、制造和测试，能够在特定辐射环境中可靠工作的电子元件。这类设备通常需通过严苛的总电离剂量（TID）、中子或质子位移损伤（DD）及单粒子效应（SEE）测试，以模拟实际工作环境，常用于航天器、核反应堆和粒子加速器的设计，因为它们将暴露在高水平的辐射下。

抗辐射电子元件需通过特定的筛选流程，符合政府制定的标准。这些标准通常要求采用密封封装，以确保较长的使用寿命。这些设备具有更高的可靠性和更长的使用寿命，因此主要供航天机构、私人航天公司、国防部门及科研人员使用。

耐辐射电子元件（Radiation tolerant electronics）

耐辐射电子元件指经过特殊设计、制造和测试，能够承受特定水平辐射负面影响的电子元件。与抗辐射元件的一个关键区别是，耐辐射元件无法承受抗辐射元件所能承受的辐射水平。但是，与未经辐射评级的商用现货（COTS）产品不同，耐辐射部件是为在辐射水平较低的环境中工作而设计的。由于轨道较低、任务时间较短、可靠性要求更低，低地球轨道和中地球轨道卫星越来越多地使用耐辐射部件。 

单粒子烧毁（Single event burn-out, SEB）

在 MOSFET 功率晶体管中，寄生双极结构被触发，伴随再生反馈、雪崩效应和高电流状态。除非有适当的保护措施，否则 SEB 具有潜在破坏性。通常，使用 1E5 ions/cm² 的粒子注量进行 SEB 测试。

单粒子效应（Single event effect, SEE）

单个高能电离粒子撞击电路中的敏感节点，引起可测量的软或硬错误。单粒子会导致电离，可能影响 TID，这可能是测试期间需要考虑的一个因素。

单粒子功能中断（Single event functional interrupt, SEFI）

指导致元件复位、锁定或其他功能异常的软错误，通常发生在具有内置状态/控制模块的复杂设备中，如 SDRAM、DRAM、NOR/NAND 闪存、各类处理器、FPGA 或 ASIC 或混合信号设备中。根据恢复可操作性所需的操作，SEFI 可分为软件复位或电源循环两种类型。存储的数据可能会也可能不会丢失。通常，使用 1E7 ions/cm² 的粒子注量进行 SEFI 测试。

单粒子栅击穿/单粒子介质击穿（Single event gate rupture, SEGR/single event dielectric rupture, SEDR）

单离子撞击引起的栅氧化层或其他电介质层的破坏性击穿，会在偏压下产生漏电流，常见于功率 MOSFET、线性集成电路（带内部电容器），或在数字设备中表现为固定位。通常使用 1E5 ions/cm² 的粒子注量进行 SEGR 测试。

单粒子闩锁（Single event latch-up, SEL）

在电离粒子作用下，设备进入永久且可能具有破坏性的状态，即离子撞击触发寄生晶闸管结构，并形成低阻抗、大电流路径，常见于 CMOS 电路中。如果电流过大，可能会造成破坏。这种大电流状态可以锁定，通过断电复位。通常情况下，在设备的最高额定温度下使用 1E5 ions/cm² 的粒子注量进行 SEL 测试。

单粒子瞬态（Single event transient, SET）

单个高能粒子撞击逻辑或线性集成电路节点，引起暂时的电压突变（电压尖峰）。这属于软错误。

单粒子翻转（Single event upset, SEU）

单粒子引起一个或多个晶体管的状态改变。这种状态变化可能导致逻辑或存储错误。单粒子翻转是非破坏性的，可通过重写或复位逻辑元件恢复。这属于软错误。通常，使用 1E7 ions/cm² 的粒子注量进行 SEU 测试。

太阳耀斑（Solar flares）

太阳间歇性爆发的电磁能量，通常与日冕物质抛射相关。电磁辐射覆盖从无线电波到伽马射线的全波段。太阳耀斑的频率以 11 年为一个周期。

太阳风（Solar wind）

太阳持续释放的带电粒子流，主要包含质子、电子和 α 粒子，以及微量的较重离子，速度为 300~700km/s。

阈值线性能量传递（LETth）或起始线性能量传递（LET）

指足以引起辐射效应的最小 LET 值。在设备测试中，通常使用 1E7 ions/cm² 的粒子注量，以确保覆盖敏感节点。