14th European Space Power Conference
Topics for this event will include key aspects of electrical power for space applications, including power management, solar generators and energy storage
PI5101 µRDS(on) FET™ 解决方案结合了采用耐热增强型高密度焊盘栅阵列（LGA）封装的高性能 5V、360μΩ 横向N沟道 MOSFET，实现了工业标准 SO-8 封装占位面积世界一流的性能。PI5101为 DC 和开关应用提供了前所未有的优值系数。PI5101 将取代多达六个相同通态电阻的传统“SO-8 外形”器件，减少电路板空间约 80％。
特点与优势
特点与优势
高性能 5V、360μΩ 横向 N 沟道 MOSFET
为低电压控制开关和模拟信号路由/控制提供了前所未有的优值系数
优于传统沟槽 MOSFET，实现极低损耗运行
采用耐热增强型高密度 LGA 封装，尺寸为 4.1 毫米 X 采用 8 毫米 x2 毫米
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| 型号 | 连续电流 | Rdson | 漏-源 电压 (VDS) |
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PI5101-01-LGIZ
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Part Number: PI5101-01-LGIZ |
连续电流:
60 A
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Rdson:
360 µ Ohms
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漏-源 电压 (VDS): 5 V
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符合RoHS:
Yes
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