Powering AI Processors using a 48V Factorized Power Architecture™
Using a 48V Factorized Power Architecture™ to overcome traditional multiphase limitations and drastically cut I²R thermal losses for high-demand loads
PI5101 µRDS(on) FET™ 解決方案結合了採用耐熱增強型高密度柵格陣列（LGA）封裝的高效能 5V、360μΩ 橫向N溝道MOSFET，實現了工業標準 SO-8 封裝占位元面積世界一流的性能。PI5101 為 DC 和開關應用提供了前所未有的品質因數。PI5101 將取代多達六個相同通態電阻的傳統“SO-8 外形”器件，減少電路板空間約 80％。
特性與優勢
特性與優勢
高性能 5V、360μΩ 橫向 N 通道 MOSFET
為低電壓控制開關和類比信號發送/控制提供了前所未有的品質因數
優於傳統溝槽 MOSFET，實現極低損耗運行
採用耐熱增強型高密度 LGA 封裝，尺寸為 4.1 毫米 X 採用 8 毫米 x2 毫米
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| 型號 | 連續電流 | Rdson | 漏-源電壓 (VDS) | 符合RoHS | 加入購物車/查看詳情 | ||
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PI5101-01-LGIZ
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Part Number: PI5101-01-LGIZ |
連續電流:
60 A
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Rdson:
360 µ Ohms
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漏-源電壓 (VDS):
5 V
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符合RoHS:
Yes
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