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PI5101 μRDS(on) FET? 解決方案結合了採用耐熱增強型高密度柵格陣列（LGA）封裝的高性能5 V、360μΩ橫向N溝道MOSFET，實現了工業標準SO-8封裝占位元面積世界一流的性能。PI5101為DC和開關應用提供了前所未有的品質因數。PI5101將取代多達六個相同通態電阻的傳統“SO-8外形”器件，減少電路板空間約80％。
特性與優勢
特性與優勢
高性能5V、360μΩ橫向N通道MOSFET
為低電壓控制開關和類比信號發送/控制提供了前所未有的品質因數
優於傳統溝槽MOSFET，實現極低損耗運行
採用耐熱增強型高密度LGA封裝，尺寸為4.1毫米X採用8mm x2毫米
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| Part Number | 連續電流 | Rdson | 漏-源電壓 (VDS) | 符合RoHS | 加入購物車/查看詳情 | ||
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PI5101-01-LGIZ
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Part Number: PI5101-01-LGIZ |
連續電流:
60 A
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Rdson:
360 µ Ohms
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漏-源電壓 (VDS):
5 V
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符合RoHS:
Yes
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