Power averaging for counter-UAS systems delivers speed and reliability
Power averaging enables compact, lightweight C-UAS systems by pairing current-limiting DC-DC converters with capacitors to deliver peak pulses reliably
Not recommended for new designs.
The PI5101 µRDS(on) FET™ solution combines a high-performance 5V, 360µΩ lateral N-Channel MOSFET with a thermally enhanced high-density land-grid-array (LGA) package to enable world-class performance in the footprint area of an industry-standard SO-8 package. The PI5101 offers unprecedented figure-of-merits for DC & switching applications. The PI5101 will replace up to six conventional "SO-8 form factor" devices for the same on-state resistance, reducing board space by ~80%.
特点与优势
特点与优势
High-performance 5V, 360µΩ lateral N-Channel MOSFET
Offers unprecedented figure-of-merit for low voltage control switching and analog signal routing/control
Outperforms conventional Trench MOSFETs and enables very low loss operation
Packaged in a thermally enhanced high-density 4.1mm x 8mm x 2mm LGA package
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| 製品番号 | Continuous Current | Rdson | Drain-to-Source Voltage (VDS) |
RoHS Compliant | カートに入れる/詳細を見る | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PI5101-01-LGIZ
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Part Number: PI5101-01-LGIZ |
Continuous Current:
60 A
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Rdson:
360 µ Ohms
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Drain-to-Source Voltage (VDS): 5 V
|
RoHS Compliant:
Yes
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設計エンジニア向けコンテンツ
限られたスペースへの実装
L字型やドーナツ型など、一般的ではない形状の基盤に大電力・複数電圧系統の電源回路を収めるため、電源ラインを小さな単位に分ける手法を紹介します。
過渡応答への要求に対応
先進的なマルチフェーズモジュールとカレントマルチプライヤを使用し、垂直方向に電力を供給する構成にすることで、I²R損失と配線インダクタンスの影響を低減する方法を紹介します。
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大電流を必要とする負荷に数千アンペアの電流を供給するためのソリューションや、コネクタのピン数やケーブルサイズの増大といった設計上の制約への対処方法を紹介します。
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