
Achieving higher power density with good-old Si MOSFETs
Minimizing tradeoffs and workarounds using high voltages and modular power approach to power systems design give longevity to the Si MOSFET
NBMは、電圧変換比率固定(非安定化)の非絶縁型双方向DC-DCコンバータです。このモジュールは外部入力フィルタや大容量コンデンサを付ける必要なく、DC-DCソリューションを提供します。また、NBM2317にはホットスワップおよび突入電流制限の機能が内蔵されています。NBMは出力インピーダンスが低いので、高速トランジェント応答に対応します。6123 ChiP(スルーホール実装)および2317 SM-ChiP(表面実装のChiP)のパッケージで利用できます。
98%以上の高効率
最大272W/cm3の電力密度
並列接続で数kWまで拡張
双方向電圧変換
入力電圧 (V) | 出力電圧 (V) | 出力電流(A) | パッケージ | 制御インターフェース | カートに入れる/詳細を見る | |
---|---|---|---|---|---|---|
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入力電圧 (V): 40.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 10.0 - 15.0 |
出力電流(A): 65.0 |
パッケージ: 2317 SM-ChiP |
制御インターフェース: Analog |
詳細 |
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入力電圧 (V): 40.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 10.0 - 15.0 |
出力電流(A): 80.0 |
パッケージ: 2317 SM-ChiP |
制御インターフェース: Analog |
詳細 |
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入力電圧 (V): 36.0 - 46.0 |
出力電圧 (V): 12.0 - 15.3 |
出力電流(A): 160.0 |
パッケージ: 6123 ChiP |
制御インターフェース: Analog |
詳細 |
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入力電圧 (V): 36.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 7.2 - 12.0 |
出力電流(A): 170.0 |
パッケージ: 6123 ChiP |
制御インターフェース: Analog |
詳細 |
Achieving higher power density with good-old Si MOSFETs
Minimizing tradeoffs and workarounds using high voltages and modular power approach to power systems design give longevity to the Si MOSFET
Eliminate the 12V battery and increase EV performance
Vicor power module transient response (75A/10µs), is three times faster than 12V, in essence creating a virtual battery
Preparing the way ahead for a compatible EV infrastructure
Onboard conversion enables EVs to charge any station
Modular power delivery networks for UAVs
The key challenge we see facing engineers today is the demand for smaller, lighter-weight designs that deliver higher power